據(jù)韓國媒體報道，首爾東部支檢刑事6部3日表示，三星電子 的半導體 核心技術(shù)先后6年期間經(jīng)由合作企業(yè)，被泄露到海力士 半導體。
首爾東部支檢刑事6部3日表示，對半導體設(shè)備企業(yè)A公司副社長郭某（47歲）和A公司韓國法人公司部長金某（41歲）進行了拘留起訴，對其他7名職員進行了非拘留起訴。上述這些人涉嫌將三星電子半導體制作技術(shù)和營業(yè)機密泄露至海力士，涉嫌違背有關(guān)防止不正當競爭和保護營業(yè)機密的法律。
檢方同時還對接受營業(yè)機密的海力士專務(wù)韓某（51歲）也進行了拘留起訴，并對涉案的三星電子科長南某（37歲）和其他8名職員進行了不拘留起訴。對泄露機密的原三星電子任首席研究員羅某（現(xiàn)在A公司就職）發(fā)布了通緝令。
檢方介紹說，郭某和職員金某等人合謀，從2005年3月開始，共偷取95件有關(guān)三星電子DREAM和存儲器制作工程的營業(yè)機密，并將其中的13件轉(zhuǎn)交給海力士。總管海力士半導體制作的韓某涉嫌接收9件偷取的相關(guān)營業(yè)機密。三星電子科長南某涉嫌于2008年4月在美國硅谷將三星電子DREAM和NAND閃存以及下一代半導體開發(fā)計劃等泄露給對方。
這次技術(shù)泄露事件給三星電子造成了數(shù)千億韓元（推測值）的直接損失，而間接損失將達到數(shù)萬億韓元。
