國家發(fā)改委公布的《半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》，提出中國半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標：2015年，半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年均增長率在30%左右;產(chǎn)品市場占有率逐年提高，功能性照明達到20%左右，液晶背光源達到50%以上，景觀裝飾等產(chǎn)品市場占有率達到70%以上�！兑庖姟分赋�，至2015年，企業(yè)自主創(chuàng)新能力明顯增強，大型MOCVD裝備、關(guān)鍵原材料以及70%以上的芯片實現(xiàn)國產(chǎn)化，上游芯片規(guī)�；a(chǎn)企業(yè)3-5家;產(chǎn)業(yè)集中度顯著提高，擁有自主品牌、較大市場影響力的骨干龍頭企業(yè)10家左右;初步建立半導體照明標準體系;實現(xiàn)年節(jié)電400億千瓦時，相當于年減排二氧化碳4000萬噸。
相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2014年，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達到3507億元，較2013年增長36%。有專家稱，2015年我國LED照明市場將保持良好發(fā)展勢頭，2015年行業(yè)整體增長率有望超過35%。隨著LED光源越來越廣泛應(yīng)用以及智能化技術(shù)的拓展，大量稀有金屬化合物制成的發(fā)光半導體材料也將迎來更大的發(fā)展機遇。
這將會帶動鎵和銦等稀有半導體金屬需求的快速增長。稀有金屬鎵、銦等半導體材料作為LED照明芯片的原材料，有望借LED智能照明的“東風”實現(xiàn)其價值增長。目前，LED光源的核心材料主要是稀有金屬鎵(Ga)、銦(In)與砷(AS)、磷(P)的化合物，并且基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦氮化稼(InGaN)的也是最具有商業(yè)應(yīng)用價值的LED發(fā)光材料。
GaN即氮化鎵，屬第三代半導體材料，六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)。GaN 具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,是現(xiàn)在世界上人們最感興趣的半導體材料之一。GaN基材料在高亮度藍、綠、紫和白光二極管,藍、紫色激光器以及抗輻射、高溫大功率微波器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用潛力和良好的市場前景。
2013年，我國芯片產(chǎn)量增幅高達61%，其中GaN芯片的產(chǎn)量占比達65%，而以銦氮化稼(InGaAlP)芯片為主的四元系芯片的產(chǎn)量占比為25%，GaAs等其他芯片占比為10%左右。如果2014年LED照明市場的增長率高達80%，那么半導體芯片的產(chǎn)量也會繼續(xù)保持高速增長。2015年的產(chǎn)量將會保持更強勁的增長勢頭。
全球LED智能照明的快速發(fā)展，將會帶動鎵和銦等半導體金屬需求的增長。泛亞有色金屬交易所利用電子商務(wù)的模式開啟了稀有金屬現(xiàn)貨交易模式，有利于實現(xiàn)平臺定價，并且通過商業(yè)手段實現(xiàn)了商業(yè)收儲。
